本帖最后由 社区管理员 于 2011-11-24 01:50 编辑
全文从以下方面论述金属烤瓷的根本堆筑法:
I.根本堆筑法、II.指状结构堆筑法、III .运用倒堆发育沟法做出中年人牙的堆筑。(分三次连载) II .指状结构堆筑法 笔者在这里将本人发明的舌侧面的指状结构堆筑法,倒堆发育沟这个新概念引见给大家。
传统的指状结构堆筑法,仅在牙实质瓷上作回切,在锐利的切端部位运用雕刀或毛笔,在舌侧面施加压力,这样的操作常常会招致倒塌或破损。但是,假如运用倒堆发育沟的话,完成了唇侧的堆筑,即可在堆筑的局部到达充沛的强度,也可以经过目视察看堆筑部,烧结收缩也能简单的计算出来,发育沟的地位也可以容易的决议下来,而且舌侧堆筑结构层极为单纯,烧结后若有问题发作,可以在该局部削除,再次堆筑发育沟。
应用倒堆发育沟法的特点,可以总结出下面的优点:
①发育沟的堆筑简单化
②发育沟设定地位的误差极小
③烧结后的修整是能够的
1.根本堆筑法的引见(年轻人牙齿一次烧结的根本步骤) 图 16 指状结构需求依据牙齿特征而不同 由右边到左边的卵圆型(以下称 : O 形)尖型(以下称: T 型)方型(以下称: S 型)
T 型是由于近远中隆线的发育而构成尖型激烈的倾向,由此而构成近远中的 2 支指状结构的牙。
O 型和 T 型对照下,由于中央隆线的发育,中央两旁发现小的指状,可以看见 5 支指状结构的牙齿,这些特征在 T 型和 O 型比拟多见。 S 型的特征比拟少见,在此省略。
2 .指状结构堆筑法的特征
图 17 发育沟涂布的办法
以规范堆筑法为准,在回切后的指状结构隆线上,由切端到牙颈部方向涂上薄的发育沟瓷粉。
| 图 18 发育沟埋入的办法,在回切后的指状结构根底上再次回切,在切端部位涂上发育沟瓷粉,再运用牙实质瓷把指状形状恢复。
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3 倒堆发育沟法的指状结构堆筑法
图 20 唇面堆筑(根本法堆筑) | 图 21 舌侧面观 |
图 22 舌侧面回切后,可看到牙实质瓷在牙冠的中央被包围。
| 图 23 舌侧面回切完成 |
图 24 在舌侧面堆筑发育沟。发育沟的部位在牙实质瓷的略微上端部。
| 图 25 发育沟堆筑完成 |
图 26 珐琅瓷堆筑 | 图 27 在回切后的舌侧面上运用珐琅瓷恢复。 |
图 28 珐琅瓷堆筑
4. 倒堆发育沟的特征
倒堆发育沟法的重点:在牙实质瓷上堆筑发育沟瓷,上端地位相同,下部堆筑在唇面地位,可以减少发育沟的浮起。在此以泪滴状堆筑发育沟,浮起的调整也可以办到,上端部位相同,堆筑厚的话,浮起就过于强。另外,也可以做到近似传统的埋入堆筑法。发育沟的瓷粉为 Mamelon Yellow(MY)
Mamelon Pink (MP)
要增强效果的话可以在 MY 里加上 OM-Y , MP 里加上 OM-P 以少量的混合,即可以做出高荧光性也能做出多彩的颜色表现。
图 29 左图突起比拟少可表现弱的发育沟,中图突起比拟强为比拟强的发育沟,右图为近似传统的埋入发育沟法,是理想的发育沟形状。
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